Micron ha dimostrato un RDIMM DDR5 da 512 GB in esecuzione su più piattaforme server, che definisce il primo modulo al mondo di tale capacità, e afferma che sia AMD che Intel lo stanno validando per le loro piattaforme server di prossima generazione. Il modulo è valutato per velocità fino a 9.200 MT/s e, in un server dual-socket a 24 slot, fornisce 12 TB di DDR5 a due CPU. La produzione di massa è prevista per la seconda metà del 2027.

Come Micron raggiunge 512 GB su un singolo modulo
Micron impila verticalmente i die DRAM all'interno di ciascun package e li collega tramite through-silicon vias (TSV), lo stesso approccio di impilamento dei die utilizzato dall'HBM. L'impilamento di più die per package raddoppia la capacità per slot senza modificare l'ingombro del modulo o il numero di DIMM del server, motivo per cui un sistema dual-socket a 24 slot raggiunge i 12 TB.

«Micron continua a dettare il ritmo della tecnologia di memoria, offrendo una nuova classe di memoria server ultra-densa e ad alte prestazioni che aiuta i clienti a mantenere dataset più grandi più vicini ai motori di calcolo di cui hanno bisogno», ha affermato Raj Narasimhan, vicepresidente senior e direttore generale della Cloud Memory Business Unit di Micron. «Un RDIMM da 512 GB abilita server multi-terabyte, supportando carichi di lavoro AI e database più grandi, una maggiore densità di virtualizzazione e una migliore efficienza energetica, il tutto all'interno degli ingombri dei server esistenti».

La valutazione di 9.200 MT/s è l'altra cifra degna di nota, ben oltre il limite di DDR5-6400 per gli RDIMM standard sulle attuali piattaforme Xeon 6, e il rilascio di Micron collega il modulo alle piattaforme di prossima generazione di entrambi i fornitori di CPU, quindi la velocità e la capacità sembrano arrivare insieme al ciclo server del 2027. Gli RDIMM Micron hanno popolato molti dei sistemi Xeon 6 ed EPYC nei nostri laboratori, e i loro MRDIMM erano dietro il record del benchmark di rischio finanziario di HPE stabilito all'inizio di quest'anno con Intel Xeon 6980P e MRDIMM Micron.

Un modulo da 512 GB contro quattro moduli da 128 GB
L'affermazione di efficienza di Micron è che un singolo RDIMM da 512 GB riduce il consumo energetico operativo di oltre il 60% rispetto a quattro RDIMM da 128 GB della stessa capacità totale. 16 W per il modulo da 512 GB contro 44,2 W per i quattro moduli da 128 GB combinati, una riduzione del 63,8%, o circa 31 mW per gigabyte contro 86 mW. Il confronto presuppone un server con quattro slot liberi da dedicare all'alternativa; il caso più comune è un server che ha esaurito gli slot, dove il modulo da 512 GB è l'unico modo per aggiungere capacità. L'argomento della densità è significativo in molti casi d'uso, ed è un punto simile a quello che abbiamo sollevato riguardo alla soluzione di storage e memoria ad alta densità di Micron di recente.

In termini di prestazioni, Micron cita un throughput fino a 1,4 volte superiore per i carichi di lavoro legati alla memoria come l'analisi dei dati basata su Spark SVM rispetto alle configurazioni DDR5 da 256 GB, e afferma che il modulo migliora il throughput e la concorrenza per database e piattaforme di caching ad alta intensità di memoria, tra cui RocksDB e Redis.

AMD, Intel e la voce di un cliente anticipato
Entrambi i fornitori di CPU hanno fornito dichiarazioni di validazione. «La nostra stretta collaborazione ingegneristica con Micron unisce innovazione di calcolo e memoria per aiutare i clienti a realizzare il pieno valore delle piattaforme basate su AMD», ha affermato Amit Goel, vicepresidente aziendale, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering di AMD. Karin Eibschitz Segal, direttore generale della piattaforma e dell'ingegneria di sistema nel Data Center Group di Intel, ha dichiarato che Intel «sta lavorando a stretto contatto con Micron per convalidare il suo RDIMM DDR5 da 512 GB e contribuire a abilitare le future piattaforme server progettate per soddisfare le crescenti esigenze dei carichi di lavoro dei data center di prossima generazione».

Il comunicato include anche una citazione dal lato cliente di Darrin Alves, Chief Information Officer per le Piattaforme Infrastrutturali di JPMorganChase, che ha affermato che la memoria ad alta capacità «aiuterà le imprese a supportare carichi di lavoro in-memory più grandi, migliorare l'utilizzo delle risorse e aumentare la flessibilità necessaria per scalare gli ambienti di calcolo moderni». Database in-memory, virtualizzazione su larga scala e inferenza lato CPU per LLM e carichi di lavoro agenti sono i casi d'uso menzionati da Micron, tutti limitati dalla quantità di dati che un server può contenere nella memoria principale prima di passare allo storage.

Tempistiche
L'obiettivo di produzione per la seconda metà del 2027 posiziona l'RDIMM da 512 GB a un anno o più di distanza. Ad agosto, Micron e SK Hynix hanno annunciato impegni multimiliardari per l'espansione della capacità di memoria, sebbene poca di questa nuova capacità sarà disponibile prima del 2028, quindi il modulo arriva nella stessa finestra dell'output di wafer su cui si baserà.

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