Kioxia e SanDisk hanno iniziato a campionare i loro chip di memoria NAND BiCS 3D a 332 strati di decima generazione.
I nuovi chip TLC da 1 Tbit (3 bit per cella) sono progettati per l'implementazione di SSD aziendali e di data center. Questa nuova iterazione succede alla memoria flash BiCS 8 a 218 layer. Oltre a un aumento del 52% degli strati di impilamento, il duo ha adottato due aggiornamenti chiave: le tecnologie CMOS direttamente legate all'array (CBA) e On-Pitch Select Gate Drain (OPS). Il processo CBA fabbrica separatamente wafer di celle logiche e NAND prima di unirli insieme, mentre OPS riduce la lunghezza della linea di bit e la capacità della linea di parola eliminando i buchi di memoria ridondanti.
Il ridimensionamento laterale migliorato e altri 114 strati impilati aumentano congiuntamente la densità delle celle del chip. La sua velocità di interfaccia di 4,8 Gbit/s è del 33% più veloce rispetto alla precedente generazione BiCS 8. Kioxia conferma inoltre un miglioramento dell'efficienza energetica in scrittura del 18% e un'efficienza energetica in lettura del 30%, riducendo di fatto l'assorbimento energetico complessivo.
La tecnologia intermedia BiCS 9 di Kioxia sfrutta celle NAND 3D BiCS 8 a 218 strati abbinate a uno strato logico CMOS indipendente, offrendo prestazioni migliori rispetto al circuito BiCS 8 originale. Dotato di interfaccia Toggle DDR6.0 e protocollo Separate Command Address (SCA), BiCS 10 raggiunge una velocità di trasferimento di 4,8 Gbit/s, che rappresenta lo stesso aumento di velocità del 33% rispetto a BiCS 8.
BiCS 10 NAND di Sandisk e Kioxia
Il lancio della produzione in serie di BiCS 10 è previsto per il prossimo anno presso lo stabilimento giapponese Kitakami 2 nella prefettura di Iwate. Nell'ambito della loro joint venture, entrambe le aziende condividono la produzione della fabbrica e attualmente stanno spedendo campioni di BiCS 10. La piattaforma a 332 strati supporta anche le prossime varianti QLC (4 bit per cella), che possono aumentare la capacità del chip di un terzo. L'architettura BiCS 10 impila tre set di stringhe NAND da oltre 100 strati, invece di adottare un design monolitico del chip a 332 strati.
Kioxia prevede una forte domanda NAND sostenuta, guidata dalla crescente popolarità dell’intelligenza artificiale e della robotica basata sull’intelligenza artificiale. Il CEO Hiroo Ota ha segnalato una potenziale espansione della capacità durante un evento mediatico giapponese, affermando che la società soddisferà pienamente la continua crescita del mercato.
Nel panorama competitivo, la NAND 3D di nona generazione di SK Hynix presenta 321 strati con una struttura di stacking a tripla stringa. La V NAND di decima generazione di Samsung raggiunge i 400 strati, adottando un'architettura Cell-on-Periphery (CoP) con logica separata e wafer di memoria per produrre die da 1 Tbit, simile al design di Kioxia. Micron offre attualmente NAND a 276 strati, senza aggiornamenti ufficiali sulla futura roadmap dei livelli. L'YMTC cinese è pronta a rilasciare la sua tecnologia NAND 3D di classe 300 nel prossimo futuro.
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