| Specifiche SSD Samsung 990 EVO Plus | |
| Fattore di forma | M.2 (2280) |
| Interfaccia | PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 |
| Opzioni di capacità | 1 TB, 2 TB, 4 TB |
| Velocità di lettura sequenziale | Fino a 7.250 MB/s |
| Velocità di scrittura sequenziale | Fino a 6.300 MB/s |
| Velocità di lettura casuale (4KB, QD32) | 1 TB: Fino a 850.000 IOPS 2 TB: Fino a 1.000.000 IOPS 4 TB: Fino a 1.050.000 IOPS |
| Velocità di scrittura casuale (4KB, QD32) | 1 TB: Fino a 1.350.000 IOPS 2 TB: Fino a 1.350.000 IOPS 4 TB: Fino a 1.400.000 IOPS |
| Consumo energetico (attivo) | 1 TB: 4,3 W (lettura), 4,2 W (scrittura) 2 TB: 4,6 W (lettura), 4,2 W (scrittura) 4 TB: 5,5 W (lettura), 4,8 W (scrittura) |
| Consumo energetico (inattivo) | Tipico 60 mW |
| Consumo energetico (standby) | Tipico 5 mW |
| Temperatura operativa | 0 – 70°C |
| Resistenza agli urti | 1.500 G e 0,5 ms (mezza sinusoide) |
| Memoria di archiviazione | Samsung V-NAND TLC |
| Controller | Controller interno Samsung (5 nm) |
| Memoria cache | Host Memory Buffer (HMB) |
| Crittografia | Crittografia AES a 256 bit (Classe 0), TCG/Opal, IEEE 1667 |
| Affidabilità (MTBF) | 1,5 milioni di ore |
| Garanzia | Garanzia limitata di 5 anni 1 TB: 600 TBW 2 TB: 1.200 TBW 4 TB: 2.400 TBW |
Samsung 990 EVO Plus Prestazioni
Confronteremo il Samsung 990 EVO Plus con alcuni altri SSD consumer recenti nei nostri benchmark di prestazioni.
- Samsung 990 EVO
- Samsung 990 Pro
- Crucial T500
- WD Blue SN580
Per i test, utilizziamo due piattaforme. La piattaforma di test consumer supporta SSD PCIe Gen4/Gen5 ed esegue Windows 11. Viene utilizzata per test consumer più leggeri come BlackMagic DiskSpeed Test, CrystalDiskMark e la nostra piattaforma principale, un Dell PowerEdge R760, che si sovrappone ai nostri test enterprise. Serial Cables ha fornito un JBOF PCIe Gen5 a 8 bay per il test di unità U.2/U.3, M.2 ed E1.S/E3.S. Ciò ci consente di testare tutti i tipi di unità attuali ed emergenti sullo stesso hardware di test. Con la mancanza di DRAM integrata nel Samsung 990 EVO Plus, la nostra piattaforma enterprise utilizzata per i test vdbench vedrà generalmente prestazioni inferiori rispetto all'unità all'interno della nostra piattaforma consumer che esegue Windows 11.
Configurazione Dell PowerEdge R760
- Dual Intel Xeon Gold 6430 (32 core/64 thread, 1,9 GHz base)
- 1 TB di RAM DDR5
- Ubuntu 22.04
Analisi del carico di lavoro VDBench
I test di analisi del carico di lavoro VDBench sono una serie di carichi di lavoro sintetici che aiutano a fornire condizioni di base e ripetibili su più unità. Questi test riempiono la superficie dell'unità con dati e quindi partizionano una sezione dell'unità pari all'uno percento della capacità dell'unità per simulare come l'unità potrebbe rispondere ai carichi di lavoro delle applicazioni. Ciò differisce dai test a entropia completa, che utilizzano il 100% dell'unità e la portano a uno stato stazionario.
Esamineremo sette test diversi, tra cui:
- Lettura casuale 4K: 100% lettura, 128 thread, 0-120% iorate
- Scrittura casuale 4K: 100% scrittura, 64 thread, 0-120% iorate
- Lettura sequenziale 64K: 100% lettura, 16 thread, 0-120% iorate
- Scrittura sequenziale 64K: 100% scrittura, 8 thread, 0-120% iorate
- Avvio VDI
- Primo accesso VDI
- Accesso VDI del lunedì
Partendo dal test di lettura casuale 4K, il Samsung 990 EVO Plus ha raggiunto un picco di 266K IOPS con una latenza di 480 ms, superando le unità EVO e WD Blue SN580. Tuttavia, è rimasto ancora ben al di sotto dei Samsung 990 Pro e Crucial T500 di fascia alta.
Nel test di scrittura casuale 4K, abbiamo osservato un comportamento erratico sulla maggior parte delle unità, ad eccezione del 990 Pro. L'EVO Plus ha gestito 37K IOPS con 232,2 ms, che, sebbene migliore dell'EVO e del WD Blue, non è stato comunque eccezionale.
L'EVO Plus ha faticato nel test di lettura sequenziale 64K, rimanendo indietro rispetto alle altre unità. Ha raggiunto solo 1,56 GB/s con 1.277,3 ms, mentre anche il 990 EVO non-plus ha raddoppiato quella velocità con 3,22 GB/s.
Nel test di scrittura sequenziale 64K, il Samsung 990 EVO Plus ha ottenuto prestazioni migliori. Ha raggiunto un picco di 586 MB/s con una latenza di 1.664,2 ms, un miglioramento notevole rispetto al suo predecessore.
Nel test di avvio VDI, il Samsung 990 EVO Plus ha raggiunto 42K IOPS con una latenza di 829 ms, superando il 990 EVO regolare, che ha raggiunto un massimo di circa 35K IOPS con 922 ms e ha terminato con una latenza superiore a 1.000 ms. Come previsto, il Crucial T500 e il 990 Pro erano significativamente avanti in questa categoria.
Per quanto riguarda il primo accesso VDI, le cose sono diventate un po' più imprevedibili. Il 990 EVO Plus ha raggiunto 18K IOPS con 414 ms, ma ha affrontato un grande picco alla fine. Questa prestazione erratica si è verificata anche con il 990 EVO non-plus, che ha raggiunto un picco di 16K IOPS con una latenza di 1.892 ms e ha sperimentato un picco tardivo prima che il test si concludesse.
Per l'accesso VDI del lunedì, il Samsung 990 EVO Plus si è comportato abbastanza bene per la sua fascia di prezzo, raggiungendo 16K IOPS con una latenza di 978,5 ms. Questo è stato un chiaro miglioramento rispetto al 990 EVO non-plus, che ha raggiunto solo 11K IOPS con una latenza di 1.450 ms.
BootBench
BOOT-BENCH-1 è un profilo di carico di lavoro OCP progettato per testare gli SSD per l'avvio del server. Sebbene questo ruolo sia tipicamente per gli SSD enterprise, gli SSD client vengono spesso scelti per il loro equilibrio tra prestazioni, capacità e costo. Ciò è particolarmente rilevante per gli hyperscaler e i fornitori di sistemi che affrontano sfide simili.
Prima di eseguire un carico di lavoro a lettura intensiva, il test di avvio riempie l'intera unità con scritture. Coinvolge un'operazione di lettura casuale asincrona da 32K, una scrittura casuale sincrona da 128K a 15 MiB/s e una scrittura/trim casuale sincrona da 128K a 5 MiB/s in background. Partendo da quattro processi, scala fino a 256 durante le operazioni di lettura di picco.
Sfortunatamente, come la versione standard del 990 EVO, il Samsung 990 EVO Plus non ha superato il bootbench.
| SSD | IOPS di lettura |
| Sk hynix Platinum P41 | 220.884 IOPS |
| WD SN850X | 219.883 IOPS |
| Solidigm P44 Pro | 211.999 IOPS |
| Fantom VENOM8 | 190.573 IOPS |
| Samsung 990 Pro | 176.677 IOPS |
| Sabrent Rocket 4 Plus | 162.230 IOPS |
| ADATA Legend 970 (Gen5) | 65.632 IOPS |
| Corsair MP700 Pro (Gen5) | 51.521 IOPS |
| Predator Storage GM7 | 35.302 IOPS |
| Samsung 990 EVO Plus | DNF |
| Samsung 990 EVO | DNF |
Test di velocità CrystalDiskMark
CrystalDiskMark è un popolare benchmark per unità. Abbiamo testato il Samsung 990 EVO Plus sulla nostra piattaforma di test consumer con Windows 11, utilizzando cinque passaggi con un file di esempio da 32 GB. Qui, è stato in grado di raggiungere 7,14 GB/s in lettura e 5,76 GB/s in scrittura.
Questo è un notevole aumento di velocità rispetto al modello Samsung 990 EVO standard, che ha raggiunto 5,01 GB/s in lettura e 3,75 GB/s in scrittura nella nostra recensione.
Test di velocità disco Blackmagic
Infine, abbiamo testato le prestazioni in un ambiente Windows 11 utilizzando il popolare strumento Blackmagic. Il Samsung 990 EVO Plus ha raggiunto velocità di lettura di 5,47 GB/s e di scrittura di 4,88 GB/s. Ciò rappresenta un solido miglioramento rispetto alla versione non-plus, che ha gestito solo 4,26 GB/s in lettura e 3,44 GB/s in scrittura, segnando un aumento del 28% nella velocità di lettura e un aumento del 42% nelle prestazioni di scrittura.
Sebbene questi guadagni siano impressionanti, non raggiungono le affermazioni di Samsung. Il 990 EVO Plus è specificato per offrire velocità di lettura fino a 7.250 MB/s per i modelli da 2 TB e 4 TB, un miglioramento del 45% rispetto ai 5 GB/s del 990 EVO. Allo stesso modo, la versione Plus promette velocità di scrittura fino a 6.300 MB/s, un aumento del 50% rispetto ai 4.200 MB/s del 990 EVO. Sebbene le prestazioni nel mondo reale non raggiungano del tutto questi numeri, l'aggiornamento offre comunque tempi di caricamento più rapidi e una gestione più fluida di file di grandi dimensioni.
Conclusione
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